Typ

SSD

Kapacitet

2000 GB

Läshastighet

5000 MB/s

Formfaktor

M.2 2280

Skrivhastighet

3900 MB/s

Övriga specifikationer

EAN

4582563857889

SKU

LSD10Z002TG8

Typ

SSD-enhet - inbyggd

NVMe

Ja

Type

Solid state-drev - intern

Model

M.2 2280

Vægt

7.4 g

Modell

LSD10Z002TG8

Märke

KIOXIA

Storlek

2000 GB

• MTTF

1,5 miljoner timmar

• Vikt

Cirka 7,4 gram

Kapacitet

2 TB

Minnestyp

BiCS FLASH TLC

Egenskaber

TRIM support, Idle Time Garbage Collection, 3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), NVMe 1.4

Egenskaper

3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Collection, TRIM-support, NVMe 1.4

Formfaktor

M.2 2280

Varumärke

KIOXIA

• Modell

LSD10Z002TG8

Kategorivag

Lagring > Intern SSD M.2

Tillverkare

Kioxia

Grænseflade

PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Produktlinje

KIOXIA Exceria Plus G3 Series

Produktlänk

https://europe.kioxia.com/en-europe/personal/ssd/exceria-plus-g3-nvme-ssd.html

Typ av enhet

SSD-enhet - inbyggd

Läshastighet

5000 MB/s

Produktnummer

1001685716

• Kapacitet

2 TB

Skrivhastighet

3900 MB/s

• Formfaktor

M.2 2280

SSD-hållbarhet

1200 TB

• Gränssnitt

PCIe® Gen4 x4, NVMe™ 1.4

4 KB Random Read

680000 IOPS

Kompatibelt fack

M.2 2280

Producentgaranti

5 års garanti

Strömkonsumtion

5.3 Watt (aktiv) ¦ 50 mW (inaktiv)

4 KB Random Write

950000 IOPS

FabrikatProduktnr

4582563857889

Stötar vid drift

1000 G

Produktbeskrivelse

KIOXIA Exceria Plus G3 Series LSD10Z002TG8 - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Produktbeskrivning

KIOXIA Exceria Plus G3 Series LSD10Z002TG8 - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Dimensioner (BxDxH)

22.15 mm x 80.15 mm x 2.63 mm

Intern datafrekvens

5000 MBps (läs)/ 3900 MBps (skriv)

NAND-flashminnestyp

3D triple-level cell (TLC)

Service och support

Begränsad garanti - 5 år

• Endurance (TBW)

1 200 TB

Temperatur vid drift

0 - 85 ° C

Standarder som följs

ROHS Directive 2011/65/EU

Tillverkarens garanti

5 års garanti

SSD-diskens formfaktor

M.2

Dimensioner (B x D x H)

22.15 mm x 80.15 mm x 2.63 mm

Slumpvis läsning (4kB)

680000 IOPS

TBW (TeraBytes Written)

1200

Max temperatur vid drift

85 °C

Min temperatur vid drift

0 °C

Slumpvis skrivning (4kB)

950000 IOPS

Stöttolerans (vid drift)

1000 g @ 0,5 ms

Medeltid mellan fel (MTBF)

1500000 tim

NAND Flashhukommelses-type

3D triple-level cell (TLC)

Max temperatur vid förvaring

85 °C

Min temperatur vid förvaring

-40 °C

• Sekventiell läshastighet

Upp till 5 000 MB/s

Vibrationstolerans (vid drift)

20 g @ 10-2000 Hz

• Sekventiell skrivhastighet

Upp till 3 900 MB/s

• Slumpmässig läshastighet

Upp till 680 000 IOPS

• Slumpmässig skrivhastighet

Upp till 950 000 IOPS

MTBF (genomsnittstid mellan fel)

1,500,000 timmar

Temperaturintervall (förvaring)

-40 - 85 ° C